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2026年5月，摩根士丹利发布了英伟达下一代Rubin机架的物料清单拆解陈述。这可能是本年最“网红”的一份陈述，由于它全方面掩盖了当前科技市场重视的一切热门。 依照大摩的说法，一台价格约780万美元的A
具有低导通电阻、低栅极电荷、低Qrr值以及杰出热功能的碳化硅功率MOSFET
SiC MOSFET，即碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种根据第三代宽禁带半导体资料碳化硅（SiC）的功率器材。相较于传统硅基器材，SiC MOSFET凭仗碳化硅资料的高击穿电场、高热导率等
